와우댕글의 아이디어 세상

본문내용

실린더내 기체의 부피가 두배로 가열단열 팽창시 이계의 E변화는?

이 과정은 대기압과 평형을 이루며 팽창하므로 등압 과정이다.

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본문내용

기본 표준단위 unit들에 대한 정의를 조사하고 요약하라
기본 표준단위 대부분의 국가에서 공동 채택하고 있는 표준단위 구조이다.
기본 단위에는 총 7가지가 있고 이 7가지를 이용해 유도단위를 만든다.

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본문내용

egH가 압력의 단위임을 증령하라
압역은 누르는 면적에 받는 힘으로 F/A로 정의할 수 있다.
F는 힘이고 A는 단면적을 나타낸다.

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소개글

경기 남부 지역의 조명, 디스플레이 관련 산업체의 정보들을 회사명, 대표자, 홈페이지, 이메일, 취급품목, 주소로 정리하여 100개의 기업을 조사하였습니다.

본문내용

디스플레이/조명 관련 산업체 
번호회사명 대표자대표전화번호Home Page대표 e-mail주요생산품목
1한진산업조명김영길032-614-7709http://www.hjdownlight.co.kr/kho6350@hanmail.netLED, 투광기, 산업등, 터널등, 가로등, 스포트라이트
2(주)유양디앤유김상옥031-350-7481www.yuyang.co.krjdkim@yuyang.co.krLED sign, LED전광판, LED유도등
3우리조명주식회사윤철주031-599-3094www.wooree.co.krlwy@wooree.co.krCCFL, EEFL, LED
4(주)위즈덤세미컨덕터문종032-324-5850www.wisdomsemi.comAndrew1042@gmail.com고전력램프, 차량용램프, 튜브램프, 평판 램프
5비나텍㈜성도경031-448-3066www.vina.co.krjhkim@vina.co.krsign & display module ,Controller & Driver , High Power LED, Illumination
6(주)버텍스엘시디코리아김동건031-303-8727www.certexlcd.comWinfred.chang@vertexlcd.comLED 조명
7비투비씨박오순031-753-5815http://www.b2bc.kr swj3@swj.co.kr 형광등, 태양광조명, LED, 할로겐, 삼파장램프 등
8(주)태림이삼경031-338-8781www.etaelim.co.krninajwon@nate.comLCD용 BLU 및 조명, 기어를 생산
9신화기획심상기02-412-6905www.shinwhagr.comshinwhaled@hanmail.netLED 모듈, LED 풀칼라 시스템, LED 경관조명, LED MR조명, LED 형광등, 평판조명, LED 파노라마 사인
10삼성엘이디주식회사김재욱031-218-2349http://www.samsungled.comByungsuk.song@samsung.comLED 패키지, LCD BLU용 LED 모듈, LED 조명 솔루션, 전장용 LED

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소개글

녹색발광 OLED 소자를 제작하는 실험을 하는 과정과 함께 실험했던 조건을 작성하고 결과를 I-V-L장치로 분석하여 결과를 나타낸 결과보고서입니다.

본문내용

Balance V2와 Main door2를 닫아 공기 출입을 막는다. 로타리 펌프, 러핑밸브를 열어 저 진공 분위기 형성한다. (torr 이하가 될 때까지 형성하였음)
러핑 밸브를 닫고 및 게이트밸브를 연 후 로타리 펌프는 끈다. (이 때 크라이오 펌프는 작동 중이다.) 고진공 도달 후, 소스 컨트롤러 및 F.T.M을 켠다. 각 소스 컨트롤러에서 프로그램 1을 선택한다. 전압을 조절하여 소스 가열 후 F.T.M 컨트롤러상의 프로그램을 물질에 따라 선택(HIL_1, HTL_2, EML_3)하고 최종 두께(기본 단위 : )를 설정한다.
예열을 하여 물질에 남아 있는 불순물을 날리도록 하였다. 
소스 쪽 셔터를 연 후 비율이 1~1.5에 도달하면, 기판 쪽의 셔터를 연다.

OLED 증착시스템 조절부

최종 두께와 비율 표시, 셔터 조절부

HIL, HTL, EML 
증착된 온도 : 약 280℃~300℃ (8~15분 정도 소요)
사용 전압 : 처음 예열 시에는 HIL 60V, HTL 40V, EML 30V 내외로 걸었다가 증착 비율이 많이 올라갈 경우 전압을 낮추어 1.5되도록 최대 10V이하까지 낮춤
HIL과 EML은 비율이 1.5가 되도록 쉽게 맞출 수 있었으나 HTL은 특히 온도에 민감하여 1 ℃차이만으로도 빠르게 증착률이 올라가기도 하였다. 그렇기 때문에 HTL은 온도가 올라갈수록 전압을 더욱 낮춰 온도를 천천히 올려가도록 하여 비율을 1.5가 되도록 조정하였다.
증착 두께 : Final Thickness 조절을 통해 원하는 두께만큼 유기 박막이 증착 되도록 설정하였음

영점 버튼을 눌러, 증착 두께를 ‘0’으로 초기화시킨다. 증착 완료 후 소스 셔터를 닫고 컨트롤러를 끈다. 소스가 식을 때까지 30분 정도 대기한다. 소스가 식을 때까지 대기하고 벤트 한다. 증착 완료 후 게이트를 닫는다. 소스 온도가 떨어지게 일정 시간 경과 후, Balance V2 Open으로 하여 챔버와 Glove Box의 압력을 일치시킨다. Balance V2를 열고 Main Door2를 연다. 증착한 기판을 꺼내고 Balance V2를 닫은 후 Main Door2를 닫는다.
기판을 메탈 챔버에 장착한다.

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소개글

이미터 팔로워와 베이스 공통 증폭기 회로를 만들어 실험한 결과보고서입니다. 결과값은 실험한 그대로를 적었고 분석에 집중하여 여러가지 관점에서 작성하였습니다. Pspice모의실험결과와도 비교를 하였습니다.

본문내용

☞ 실험 1에서는 이미터 부분에 가변 저항을 놓고 출력이 4V가 되도록 가변 저항을 조절하였다. 는 회로에 직류 전압만 있으므로 그대로 12V정도가 걸리게 되었고 베이스 전압은 앞의 저항으로 인해 전압 강하된 전압으로 측정되었다. 이미터 전압은 베이스 전압에 약 0.6V정도 강하된 정도로 약 4V에 근접하였다. 가변 저항을 10kΩ으로 조정을 하다보니 매우 미세한 조정까지는 되지 않았고 조금만 돌려도 출력 전압이 금새 다른 값이 되기도 하였다. 그래서 최대한 출력 전압이 4V가 나오게끔 근접하게 가변 저항을 돌렸다. 적합한 값은 매우 작은 값이 나왔다. Pspice로 돌린 예상 값과 측정값은 크게 차이가 나지는 않았지만 차이는 있었다. 차이가 나게 된 원인을 생각해보면 직접 실험하였을 때 환경적 요인이 다를 수 있다는 것이다. 온도나 전압이 약간씩의 변화로 인해서 크게 변한값은 아니지만 어느정도 차이가 생길 수 있다. 그리고 트랜지스터 소자의 작동이 이상적이지 않았다는 것도 달라지는 원인에 기여한다.
실험 2에서는 입력 출력의 전달 특성곡선을 보았는데 0V에서 12V까지 거의 선형의 비례하는 관계의 그래프가 그려짐을 확인할 수 있다. 이는 입력이 출력으로 거의 그대로 나올 수 있다는 관계를 보여주는 것이다. 소신호 파라미터를 보면 증폭률은 대부분의 트랜지스터의 증폭률이 200근처인 점을 생각하면 작은 값이긴 하지만 전류 이득이 있는 것을 확인할 수 있다. 그리고 입력 저항이 베이스에 있던 저항 보다 컸는데 이는 컬렉터 쪽의 높은 전압의 차단을 위해서 입력 저항이 더 커지게 된 것으로 보인다. 이미터의 저항은 이미터에 있는 저항값과 거의 비슷한 값을 가짐을 확인할 수 있다. 이러한 결과는 이미터 팔로워 증폭기의 입력 저항과 출력 저항에서도 확인해 볼 수 있었다. 여기서 전류를 측정할 때는 입력 전류는 시간이 지남에 따라 줄어드는 모습을 보이고 출력 전류는 시간이 지남에 따라 늘어나는 모습을 볼 수 있다.

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소개글

전자회로실험으로 다이오드 클리프회로와 클램퍼 회로를 만들어 실험한 결과보고서입니다. 결과값은 실험한 그대로를 적었고 분석에 집중하여 여러가지 관점에서 작성하였습니다. Pspice 모의실험결과와도 비교를 하였습니다.

목차

1) 클리퍼 회로 실험

2) 클램프 회로 실험

본문내용

1) 클리퍼 회로 실험
(그림1) 
입력 파형 진폭 : 6V, 주파수: 60Hz, 저항 
관측된 파형을 분석해보면 +전압의 부분은 잘리고 –전압 부분만 나오는 것을 확인할 수 있다. - 전압은 입력 파형보다 조금 더 줄어들어 있다. 그리고 출력파형은 전체적으로 약 +0.6V올라간 것으로 보이고 있다.
입력전압의 –는 다이오드가 역방향이기 때문에 동작을 하지 않고 저항 에만 저항이 걸린다. - 전압에서 현재 전압이 V라면 출력에 걸리는 전압은 과 의 혼합연결이므로 에 각각 V의 전압이 걸리고 전류는 이다. 결국 옴의 법칙으로 출력 전압은 가 된다. 로 예상과 비슷하게 결과가 나왔다.
입력전압의 +는 다이오드가 0.6V이상만 걸리면 순방향이 되어 저항쪽으로 전류가 흐르지 않고 모두 다이오드로 흘러 출력전압이 제한된다.

☞ 모의실험과 실험결과를 비교해본 결과 예상과 비슷한 출력 파형이 나왔다. 출력 파형에서 실험결과는 입력 파형보다 반응이 조금 느려서 4~5%정도 뒤에 떨어지는 모습이 보인 반면 모의실험에서는 입력 전압이 –로 내려가자 출력 파형도 바로 내려가는 것을 볼 수 있다. 실제 실험하게 되면 소자의 반응 속도가 이러한 차이를 만들어 내는 것이라고 생각한다.

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소개글

다이오드 정류 회로 여러가지를 만들어 실험한 결과보고서입니다. 결과값은 실험한 그대로를 적었고 분석에 집중하여 여러가지 관점에서 작성하였습니다. Pspice모의실험결과와도 비교를 하였습니다.

목차

1) 피크 정류회로
2) 브리지 정류회로
3) 필터 커패시터가 있는 브리지 정류회로

본문내용

같은 전기 용량 값에서 저항을 늘린 결과 시상수 으로 증가하여 거의 직류와 비슷함을 확인할 수 있었다.

☞ 모의 실험결과와 비교해보았을 때 모의실험에서는 입력 파형이 모두 사인파로 나온 반면에 결과에서는 사인파의 절반만 나왔다. 회로에서 차이를 비교해보면 회로를 구성할 때 전원 쪽에도 접지가 들어가지만 모의 실험에서는 전원쪽의 접지를 넣지 않았다. 그래서 회로의 –부분에 접지가 들어가 – 전압이 출력되지 않고 모두 0V로 출력된 것이다.
저항값이 늘어나면 리플값이 줄어들고 시상수가 길어져 더욱 일정한 값의 전압에 가까워진다.
전기용량값이 늘어나도 리플값이 줄어들고 시상수가 길어져 더욱 일정한 값의 전압에 가까워진다.


고찰
1) R이나 C값이 증가할수록 시상수가 커지면서 충방전시간이 길어지기 때문에 리플의 크기가 줄어든다. 그러나 R이나 C값이 증가할수록 초기 전압 안정화 시간이 길어지고, 소자 크기가 커지는 단점이 있다.
2) 다이오드는 순방향 전압인가를 할 때 문턱 전압 이상을 넘어가면 비선형적으로 전류를 통과시킨다. 이러한 비선형성 특성에 따라 정류기 출력은 입력 전압이 증가할 때 출력 전압은 다이오드의 전압강하를 포함한 상태로 증가한다.

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소개글

공통이미터 증폭기 회로를 가상으로 Pspice를 통해 그려보고 몇 가지 인자들을 창의적인 기준을 통해 조정하면서 나타나는 모의실험 결과를 발표자료로 나타내었습니다.

본문내용

위상반전용으로 많이 사용 
전압,전류모두 증폭되고 또한 입출력이 서로 반전되는 특성이 있다.

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소개글

다이오드 기본 실험 회로를 만들어 실험한 결과보고서입니다. 결과값은 실험한 그대로를 적었고 분석에 집중하여 여러가지 관점에서 작성하였습니다. Pspice모의실험결과와도 비교를 하였습니다.

본문내용

다이오드의 전압이 650mV에서 700mV가 지나고 나서부터 전류가 급속히 증가하기 시작하였다. 따라서 이 지점 사이에 문턱전압 가 있다. 그러나 전원공급기가 0.1V이하로 정밀하게 조정하는게 쉽지 않기 때문에 대략적으로 중간값인 675mV로 생각하였다. 이론적으로 1N4004는 0.7V의 전압강하가 있다. 따라서 실험으로 구한 데이터가 비슷하게 이 값과 맞음을 확인할 수 있었다.

전류-전압 곡선의 기울기를 이용하여 PN 접합 다이오드의 내부 저항을 구하였다. 보다 가 더 빠르게 증가하기 때문에 순방향으로 전압이 증가할 때 전압이 증가함을 확인할 수 있었다.

가상실험과 비교하여 본 결과 가상실험에서는 가로축의 전압을 인가 전압의 그래프로 그려서 선형으로 증가한 것으로 나온 반면 실제 실험에서는 가로축을 다이오드의 전압으로 하여 그래프르를 그려서 지수함수적인 형태로 나오게 되었다. 다소 차이는 있었지만 둘의 전압을 일치시켜 비교하여 보면 대체적으로 비슷한 값임을 알 수 있다.

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